انت هنا : الرئيسية » أخبار التقنية » سامسونج تبدأ بتصنيع ذاكرة بسعة 128 غيغا و رامات 2GB LPDDR3 للجوال

سامسونج تبدأ بتصنيع ذاكرة بسعة 128 غيغا و رامات 2GB LPDDR3 للجوال


بدات سامسونج بالفعل ببدأ تصنيع رامات للجوالات بتدقة 30 نانو متر بسعة 2 غيغا وأستهلاك أقل للطلاقة حيث تصل سرعتها الى 200ميغابايت لكل pin مما يعني أنها اسرع بنسبة 50 % من LPDDR2

ومن جهه أخرى بدأت أيضا بتصنيع شرائح (EMMC) للجوالات بسعات تصل الىى 128 غيغا وبتقنية 20 نانو متر وبسرعة نقل بيانات تصل الى 140 ميغا

 

 

المصدر

عن الكاتب

عدد المقالات : 869

اكتب تعليق

*

الصعود لأعلى